PHI Genesis 500是新一代配置了全自動多功能掃描聚焦X 射線光電子能譜，易操作式多功能選配附件，能夠?qū)崿F(xiàn)全自動樣品傳送停放，同時還具備高性能大面積和微區(qū)XPS 分析，快速準(zhǔn)確深度剖析，為電池、半導(dǎo)體、有機器件以及其他各領(lǐng)域提供多方面的解決方案。

關(guān)鍵技術(shù)

易操作式多功能選配附件

全自動樣品傳送停放

高性能大面積和微區(qū)XPS 分析

快速準(zhǔn)確深度剖析

為電池、半導(dǎo)體、有機器件以及其他各領(lǐng)域提供多方面解決方案 

簡單易操作

PHI X射線光電子能譜儀提供了一種全新的用戶體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。
操作界面可在同一個屏幕內(nèi)設(shè)置常規(guī)和高級的多功能測試參數(shù)，同時保留諸如進(jìn)樣照片導(dǎo)航和SXI 二次電子影
像準(zhǔn)確定位等功能。

簡單友好的用戶界面

PHI GENESIS 提供了一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面，對于操作人員非常友好，操作人員執(zhí)行簡單的設(shè)置操作即可完成包括所有選配附件在內(nèi)的自動化分析。

多功能選配附件

原位的多功能自動化分析，涵蓋了從LEIPS 測試導(dǎo)帶到HAXPES 芯能級激發(fā)的全范圍技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的XPS 而言，PHI GENESIS 體現(xiàn)了*的性能價值。

優(yōu)良解決方案：

高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。

多數(shù)量樣品大面積分析

把制備好樣品的樣品托放進(jìn)進(jìn)樣腔室后將自動傳送進(jìn)分析腔室內(nèi)

可同時使用三個樣品托

80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品

可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復(fù)雜等各種各樣的樣品

可聚焦≤ 5μm 的微區(qū)X 射線束斑

在PHI GENESIS 中，聚焦掃描X 射線源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進(jìn)行導(dǎo)航、準(zhǔn)確定位、多點多區(qū)域同時分析測試以及深度剖析。

大幅提升的二次電子影像（SXI）
二次電子影像（SXI）準(zhǔn)確定位，保證了所見即所得。*的5μmX 射線束斑為微區(qū)XPS分析應(yīng)用提供了新的機遇。

PHI X射線光電子能譜儀快速深度剖析

PHI GENESIS 可實現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子設(shè)備和高效雙束中和系統(tǒng)可實現(xiàn)全自動深度剖析，包括在同一個濺射刻蝕坑內(nèi)進(jìn)行多點同時分析。

高性能的深度剖析能力

( 下圖左) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
( 下圖右) 在LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從LiCoO2 層轉(zhuǎn)移到LiPON 層中，使Co 在LoCoO2 層富Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

角分辨XPS 分析

PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了對樣品角分辨分析的*性能。另外，樣品傾斜和樣品旋轉(zhuǎn)相結(jié)合，可同時實現(xiàn)角度的高分辨率和能量的高分辨率。

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于電池、半導(dǎo)體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材
料及器件領(lǐng)域。
用于全固態(tài)電池、半導(dǎo)體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的先進(jìn)功能材料都是復(fù)雜的多組分材料，其研發(fā)依賴于化學(xué)結(jié)
構(gòu)到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS" 全自動多功能掃描聚焦X 射線
光電子能譜儀，具有*性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用

電池 (AES + Transfer Vessel)

“LiPON/LiCoO2 橫截面的 pA-AES Li 化學(xué)成像"
Li 基材料例如LiPON，對電子束輻照敏感。
PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取AES 化學(xué)成像。

有機器件 (UPS / LEIPS + GCIB)

使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 測量能帶結(jié)構(gòu)
（1）C60 薄膜表面
（2）C60 薄膜表面清潔后
（3）C60 薄膜/Au 界面
（4）Au 表面
通過UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體 (XPS + HAXPES)

半導(dǎo)體器件通常由包含許多元素的復(fù)雜薄膜組成，它們的研發(fā)通常需要對界面處的化學(xué)態(tài)進(jìn)行無損分析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的GaN，使用HAXPES 是非常有必要的。

微電子 (HAXPES)

微小焊錫點分析
HAXPES 分析數(shù)據(jù)顯示金屬態(tài)Sn 的含量高于XPS 分析數(shù)據(jù)，這是由于Sn 球表面被氧化，隨著深度的加深，金屬態(tài)Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特點。